He-N2势能表面对散射截面的影响

• 作者: 冯一兵 孙桂华 杨向东 蒋德琼
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 势能表面 散射截面 密耦方法
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 分类号: O561.5
• 字数: 3005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2000.01.020

摘要

从总散射截面、微分散射截面和分波散射截面三方面对He-N2体系的三个势能表面进行了详细比较.计算中采用了精确度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法(E=64 meV),计算结果与M.Keil等的实验结果基本相符.研究结果表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面有较大的影响,为根据散射截面准确地确定He-N2体系的相互作用势能参数提供了一种新依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨向东	四川大学原子分子物理所	278	1103	14.0	21.0
2	冯一兵	四川师范大学物理系	9	44	5.0	6.0
3	蒋德琼	四川师范大学物理系	20	74	5.0	7.0
4	孙桂华	四川大学原子分子物理所	7	21	2.0	4.0