基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

• 作者: 刘理天 李志坚 马玉涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-氧化层-半导体结构 电荷控制模型 有效态密度 反型层电荷
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 373-377
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.011

摘要

从载流子在MOS结构反型层内的分布出发，利用表面有效态密度(SLEDOS：SurfaceLayer Effeotive Density-of-States)的概念，在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型.该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响，采用了一种新的高效的迭代方法，具有较高的计算效率和足够的精度要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
3	马玉涛	清华大学微电子学研究所	4	13	3.0	3.0