采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究

• 作者: 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS/SOI SALICIDE 辐照特性EEACC:0530 2570D 2560R 1230B
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 460-464
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.009

摘要

讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2 SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0