InP基应变补偿多量子阱的研究进展

• 作者: 杜国同 杨树人 殷景志 王新强
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InP基 应变补偿 MQW
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 85-87
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.02.004

摘要

介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比.讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP基应变补偿MQW的生长条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷景志	吉林大学电子工程系	15	62	4.0	7.0
2	杜国同	吉林大学电子工程系	41	204	8.0	13.0
3	杨树人	吉林大学电子工程系	16	52	4.0	7.0
4	王新强	吉林大学电子工程系	8	41	2.0	6.0