功率器件生产过程中对硅片电阻率下滑的补偿

• 作者: 梁秀红 鞠玉林
• 来源期刊: 海洋技术学报
• 关键词: 电阻率 补偿 功率器件
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 综合技术
• 页码范围: 71-73
• 页数: 3页
• 分类号: TM506
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-2029.2000.03.015

摘要

用于制造功率器件的中子辐照区熔硅片,在经过1250℃、40h高温扩硼后,硅片体内电阻率下滑.本文通过实验表明了高温退火后硅片的冷却速率及硅片的厚度对电阻率的影响非常明显.并且介绍了将高温退火电阻率下降的硅片通过低温退火工艺对其进行电阻率补偿的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁秀红	河北工业大学材料研究中心	11	47	3.0	6.0
2	鞠玉林	河北工业大学材料研究中心	2	0	0.0	0.0