入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响

• 作者: 吴锦雷 张琦锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 内场助光电发射 超微粒子-半导体薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1183-1188
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 5005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.007

摘要

通过对不同光强入射下Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的测试,实验发现Ag BaO薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段,相应的转折电压大小与入射光强有关.理论分析表明,内场助作用下Ag-BaO薄膜体内能带结构发生了Ag微粒和BaO介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段;转折电压对入射光强的依赖关系源于光生载流子改变了薄膜体内的有效电场强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张琦锋	北京大学电子学系	28	186	9.0	12.0
2	吴锦雷	北京大学电子学系	48	341	12.0	16.0