CdF2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

• 作者: 李树深 肖景林 额尔敦朝鲁
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 电子-声子耦合 极化子 CdF2
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 225-231
• 页数: 7页
• 字数: 3952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.004

摘要

采用改进的Huybrechts线性组合算符和变分方法，研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响，得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律.对CdF2半导体，计算了不同支声子与电子的相互作用对极化子有效质量和自陷能的贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖景林	内蒙古民族师范学院物理系	260	887	12.0	15.0
2	额尔敦朝鲁	内蒙古民族师范学院物理系	50	165	7.0	10.0
3	李树深		2	25	2.0	2.0