相位相干与巨磁电阻极大值

• 作者: 任永强 杨新娥 郑俊娟
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米磁颗粒膜 巨磁电阻 相位相干
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 页码范围: 864-868
• 页数: 5页
• 分类号: O484.43
• 字数: 4195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2000.08.019

摘要

用双流模型研究磁性金属-金属型颗粒膜(Re-Ag,Co-Ag)中巨磁电阻(GMR)极大值特性.结果表明,磁性颗粒内杂质原子之间的相位相干,对磁电阻极大值的产生有重要影响.这种相位相干与外场磁化的综合作用使颗粒膜巨磁电阻的尺寸关系表现出非单调的特征,并用该模型计算和讨论了巨磁电阻的其它性质,结果与实验符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑俊娟	天津大学应用物理系	3	11	1.0	3.0
2	杨新娥	天津大学应用物理系	12	25	3.0	4.0
3	任永强	天津大学应用物理系	1	1	1.0	1.0