聚乙烯亚胺在 SiC粉体上的定量吸附研究

• 作者: 孙伟燕 孙静 郭景坤 高濂
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚乙烯亚胺 定量吸附 紫外光谱 SiC粉体
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 259-263
• 页数: 5页
• 分类号: TF123
• 字数: 2448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.010

摘要

利用紫外－可见光谱研究了分散剂聚乙烯亚胺在粉体SiC上的定量吸附情况. 加入酸性PEI后粉体SiC表面的电性发生改变，等电点由pH=2.0移至pH=10.5. 分散剂在粉体上的吸附满足Langmuir单层吸附方程. 对分散剂PEI--H+(pH=3.57)来说，单层吸附值为0.0172mg/mL. 对分散剂PEI--H+(pH=6.61)来说，单层吸附值为0.0208mg/mL. 利用富利叶红外光谱证实了这种吸附作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙静	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	105	1431	20.0	35.0
2	高濂	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	165	5315	44.0	64.0
3	郭景坤	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	143	3907	35.0	54.0
4	孙伟燕	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	1	30	1.0	1.0