光照对多孔硅生成的影响

• 作者: 涂楚辙 贾振红
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 孔隙率 光照度
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 147-149
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.12|O433
• 字数: 1769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.02.020

摘要

研究了多孔硅制备过程中光照对孔隙率大小的影响.实验结果表明,在不同的光照度下孔隙率会出现一极大值.从光化学过程对这一结果进行了理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾振红	新疆大学电子系	286	1621	18.0	28.0
2	涂楚辙	新疆大学物理系	16	46	4.0	6.0