双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性

• 作者: 史常忻 邵传芬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 粒子探测器 GaAs SchOttky势垒
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 792-797
• 分类号: O572.11
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.012

摘要

双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成,器件结构为金属-半导体-金属结构,该探测器能经受能量为1.5MeV、剂量高达1000kGy的电子、500kGy的γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试,辐照后器件击穿曲线坚挺,反向漏电流最低为0.48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与X射线的照射量呈线性关系.该探测器在241Am(Ea＝5.48MeV)a粒子辐照下,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为45%和7%.在由90Sr(Eβ=2.27MeV)发出的β粒子辐照下,探测器有最小的电离粒子谱.该探测器对光照也有明显的响应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵传芬	上海交通大学微电子技术研究所	5	9	2.0	2.0
2	史常忻	上海交通大学微电子技术研究所	6	9	2.0	2.0