HgCdTe晶体ACRT-B法生长过程的分凝特性研究

• 作者: 介万奇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 生长 分凝
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 426-427,430
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.26|O781
• 字数: 1830字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.04.033

摘要

在定量估算的基础上,明确了Hg1-xCdxTe晶体ACRT-B法生长过程轴向溶质再分配的简化条件,导出了计算公式.以HgTe-CdTe伪二元相图为基础进行的计算表明,按照远红外探测器要求的成分配料(x0＝0.22),仅在晶锭的某一部分可获得符合成分容差的晶体.而采用其它相近的成分配比也能获得符合成分要求的晶体.采用x0值更小的配料成分获得的满足成分要求的晶段更长,并且位于结晶质量较高的晶锭前段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0