PMOS剂量计的长期室温退火

• 作者: 严荣良 余学锋 张国强 范隆 赵元富 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: PMOS剂量计 阈电压 退火
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 页码范围: 642-645
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.09.010

摘要

为掌握PMOS剂量计的应用方式并提高其应用精度,研究了PMOS剂量计的辐照剂量记录-阈电压在室温下的长期退火表现.结果表明:氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因,PMOS剂量计辐照及贮藏偏置是决定其退火方向和程度大小的重要因索.负偏置条件能较好地保持其辐照记录,在正偏置贮存下的退火较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范隆	中国科学院新疆物理研究所	13	69	5.0	8.0
2	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
3	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
4	余学锋	中国科学院新疆物理研究所	22	152	6.0	12.0
5	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
6	郭旗	中国科学院新疆物理研究所	50	338	10.0	16.0
7	赵元富		2	6	1.0	2.0