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摘要:
ZnSe宽带隙半导体光发射器件是未来全色光显示和高密度光记录用的重要器件。在相继完成材料、掺杂技术,以及器件结构相关的研究工作后,目前正在攻克器件实用化的关键技术——寿命。介绍了ZnSe的p型和n型导电材料的控制技术及其LD和LED的开发进展。
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文献信息
篇名 ZnSe宽带隙半导体光发射器件
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 ZnSe蓝绿光LD 可见光LED 显示器件 光存贮
年,卷(期) 2000,(z1) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 19-24
页数 6页 分类号 TN525|TN491
字数 4532字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.z1.005
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何兴仁 1 12 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnSe蓝绿光LD
可见光LED
显示器件
光存贮
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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