超薄外延CoSi2/n-Si的肖特基势垒接触特性

• 作者: 屈新萍 徐蓓蕾 李炳宗 茹国平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化钴 肖特基势垒 固相外延PACC:6855 8155 7330
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 473-479
• 页数: 7页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 5213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.012

摘要

研究了超薄(～10nm)CoSi2/Si的肖特基势垒接触特性.Co(3-4nm)/Ti(1nm)双层金属通过快速热退火在Si(100)衬底上形成超薄CoSi2薄膜.X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性.用I-V、C-V方法在82-332K温度范围内测试了CoSi2/Sj的肖特基势垒特性.用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度.测试表明,用Co/Ti/Si方法形成的超薄CoSj2/Sj接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性,I-V方法测得的势垒高度为0.59eV,其理想因子为1.01;在低温时,I-V方法测得的势垒高度随温度降低而降低,理想因子则升高.采用肖特基势垒不均匀性理论,并假设势垒高度呈高斯分布,实验数据和理论吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学电子工程系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学电子工程系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学电子工程系	21	90	5.0	9.0
4	徐蓓蕾	复旦大学电子工程系	3	12	2.0	3.0