半导体纳米粒子的电容

• 作者: 何红波 周继承 李义兵 胡慧芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子 纳米粒子 电容
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1189-1192
• 页数: 4页
• 分类号: TN3042.2+5
• 字数: 3282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.008

摘要

用简谐势描述量子点中电子所受的约束,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了CdS、PbS等半导体纳米粒子的充电电容,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	长沙铁道学院信息学院材料研究所	17	104	3.0	10.0
2	李义兵	长沙铁道学院信息学院材料研究所	19	37	3.0	4.0
3	何红波	长沙铁道学院信息学院材料研究所	28	66	5.0	6.0
4	周继承	长沙铁道学院信息学院材料研究所	19	27	3.0	3.0