MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*

• 作者: C.Jagadish H.H.Tan Lan Fu M.B.Johnston M.Gal 刘兴权 李娜 李宁 沈学础 窦红飞 陆卫 陈张海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 MOCVD MBEPACC:0762 6865 6855 8115G
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 441-444
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.006

摘要

用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求.