N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响*

• 作者: 张炯 李瑞伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子 寿命 MOS
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 469-472
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.011

摘要

从模拟和试验二方面对N区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究.考虑到工艺条件,主要讨论N-区的掺杂浓度(NN-)的变化对器件可靠性的影响.通过模拟和从实际工作中得到的结果,对于0.35-1.2μm器件,我们将N区的掺杂浓度优化为7×1017-1×1018/cm3.利用优化结果进行试验生产,并对器件寿命进行测量的结果表明,沟道长度0.8μm以上的均可以在5V的电源电压下可靠地工作10年(工业标准);0.4μm的器件,可以在4V的电源电压下达到10年的工作寿命(热载流子寿命).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李瑞伟	清华大学微电子所	10	79	4.0	8.0
2	张炯	清华大学微电子所	1	0	0.0	0.0