UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

• 作者: 于卓 余金中 张春晖 成步文 李代宗 王启明 王玉田 黄昌俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: SiGe 异质结 UHV/CVD
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 250-254
• 页数: 5页
• 字数: 3359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.008

摘要

以Si2H6和GeH4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Sil-xGex合金材料和Si1-xGex/Si多量子阱结构.用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究.结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差为3.31％，合金组分x值的平均偏差为2.01％；Si1-xGex/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰，而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹，表明晶格质量和界面质量都很好；Si1-xGex/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在.