二氧化钛/多孔硅/硅异质结的表面光电压谱

• 作者: 付贤智 刘平 李旦振
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: 表面光电压谱 多孔硅 二氧化钛 异质结
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 558-560
• 页数: 3页
• 分类号: TB383|O482
• 字数: 1341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.022

摘要

首次在多孔硅(PS)的表面镀纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,表面光电压谱(SPS)测试表明:镀膜后多孔硅的光电压信号增强约2～3个数量级,其原因可能是双异质结构TiO2/PS/p-Si能有效地吸收近红外一直到紫外光,并且近本征的多孔硅自建电场增大,使光生电子-空穴对能有效地分离;PS/p-Si之间的势垒差产生的阻止少子向电极扩散的背向电场,也能有效地增强光生电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付贤智		104	3272	28.0	55.0
2	李旦振		41	1213	18.0	34.0
3	刘平		34	1018	15.0	31.0