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光电材料的俄歇电子谱分析
光电材料的俄歇电子谱分析
作者:
何伟全
尹燕萍
杨晓波
罗江财
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
俄歇电子能谱
元素组分
定性分析
组分深度分布
摘要:
俄歇电子能谱(AES)是测定固体表面元素组分的分析技术。由于AES具有很高的空间分辨率和表面灵敏度,并可以通过离子束溅射刻蚀获得组分深度剖面分布,所以它在各种材料,特别是微电子材料、光电子材料和纳米薄膜材料的分析中应用广泛。文章详细地介绍了PHI595型多探针俄歇电子能谱仪及其在光电子材料分析中的应用。
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X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除
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文献信息
篇名
光电材料的俄歇电子谱分析
来源期刊
半导体光电
学科
工学
关键词
俄歇电子能谱
元素组分
定性分析
组分深度分布
年,卷(期)
2000,(z1)
所属期刊栏目
研究论文与技术报告
研究方向
页码范围
84-86
页数
3页
分类号
TN204|TN206
字数
2830字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-5868.2000.z1.023
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
何伟全
2
6
2.0
2.0
2
杨晓波
11
33
3.0
5.0
3
罗江财
4
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尹燕萍
2
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俄歇电子能谱
元素组分
定性分析
组分深度分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
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