薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析

• 作者: 李文宏 罗晋生
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: SOI RESURF 击穿电压
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 161-168
• 页数: 8页
• 字数: 5803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.011

摘要

提出了基于二维Poisson方程的薄膜SOI降低表面电场(RESURF结构解析物理模型.并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜SOI RESURF结构击穿电压的方法.利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜SOI RESURF结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系，并定量分析了场SiO2界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响.首次提出了临界场SiO2界面电荷密度的概念，并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系.而且计算结果与MEDICI模拟结果符合得很好.这些为漂移区长度较长的薄膜SOI RESURF结构击穿电压的优化设计提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗晋生	西安交通大学微电子学研究所	28	194	7.0	13.0
2	李文宏	西安交通大学微电子学研究所	9	116	4.0	9.0