用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

• 作者: 常香荣 张永平 张秀芳 时东霞 田中卓 袁磊 顾有松
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波等离子体化学气相沉积 β-C3N4 薄膜 超硬材料
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 311-314
• 页数: 4页
• 分类号: TB383|O484
• 字数: 1470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2000.03.016

摘要

采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜X射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱(XRD)说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;X射线光电子谱(XPS)、傅立叶变换红外谱(FT IR)和喇曼(Raman)谱说明在C3N4薄膜中存在C-N键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田中卓		14	75	5.0	8.0
2	顾有松		32	162	7.0	10.0
3	张永平		8	39	4.0	6.0
7	常香荣		14	87	6.0	8.0
8	时东霞	中国科学院北京真空物理实验室	23	165	8.0	12.0
9	张秀芳	中国科学院北京真空物理实验室	6	52	4.0	6.0
10	袁磊	中国科学院北京真空物理实验室	10	57	5.0	7.0