GdN,GdP和GdAs的电子结构:第一性原理研究

• 作者: 叶高翔 谭明秋 陶向明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 943-948
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.05.024

摘要

用从头计算第一性原理对Gd-V化合物进行了电子结构与磁性的理论研究.计算的理论基础是密度泛函理论和局域(自旋)密度近似,并应用了相对论性LMTO-ASA计算方法.结果表明Gd-V的非自旋极化能带均为半金属特征.在进行宽能带的自能修正后GdN的非自旋极化能带是半导体行为(Eg≈0.19eV).自旋极化的LSDA计算结果表明Gd-V均为半金属性的能带结构,即空带与价带有微弱的交叠.在布里渊区的X点和Γ点,分别有n型和p型色散的能带穿过费米面.对于GdN而言,它的上自旋子带为半金属能带,而下自旋子带却是半导体特征(Eg≈0.36eV).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶向明	浙江大学物理系	35	141	7.0	10.0
2	谭明秋	浙江大学物理系	35	147	7.0	10.0
3	叶高翔	浙江大学物理系	36	160	7.0	9.0