薄栅氧化层击穿特性的实验研究

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 击穿 栅氧化层 实验 与时间有关的介质击穿(TDDB)
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 146-150
• 页数: 5页
• 字数: 2407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.008

摘要

在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性，研究了TDDB的击穿机理，讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对相关击穿电荷QBD进行了实验测试和分析，研究结果表明：相关击穿电荷QBD除了与氧化层质量有关外，还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关.得出了QBD的解析表达式，并且对相关参数进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0