Si对K40S合金显微组织及力学性能的影响

• 作者: 姜文辉 孙晓峰 康煜平 杨富民 管恒荣
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 硅 枝晶生长 内生生长 偏析 力学性能
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.1+6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2000.06.010

摘要

研究了Si对K40S合金显微组织及815℃,205MPa条件下的力学性能的影响.结果表明,随着Si含量的升高,K40S合金凝固时界面生长由枝晶生长转向明显的内生生长;虽然Si元素主要在枝晶间或晶界偏析,但当Si含量升高到一定程度后,枝晶内的浓度逐渐升高而达到显著水平;持久拉伸断口呈现明显的枝晶间断裂特征,持久寿命下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓峰	中国科学院金属研究所	176	1801	20.0	33.0
2	管恒荣	中国科学院金属研究所	120	1371	20.0	25.0
3	康煜平		17	442	9.0	17.0
4	杨富民	中国科学院金属研究所	6	36	3.0	6.0
6	姜文辉	中国科学院金属研究所	2	7	1.0	2.0