ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

• 作者: 丁训民 吴嘉达 孙剑 李富铭 来冰 钟晓霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 表面处理 ECR等离子体
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1019-1023
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.10.015

摘要

利用电子回旋共振(ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索，在低于80℃的温度下得到了均匀的厚度约为7 nm氮化硅和二氧化硅薄层.结合等离子体光学诊断和成分探测，分析讨论了ECR等离子处理机理.结果表明，利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙剑	复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室	3	37	3.0	3.0
2	吴嘉达	复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室	7	68	4.0	7.0
3	钟晓霞	上海交通大学应用物理系	8	19	3.0	4.0
4	来冰	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
5	丁训民	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	14	97	5.0	9.0
6	李富铭	复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室	22	128	7.0	10.0