具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

• 作者: 孙英华 张万荣 张慕义 张玉清 李志国 沈光地 程尧海 穆甫臣 郭伟玲 陈建新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 可靠性 阻挡层
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 608-613
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.016

摘要

提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法--温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致.针对传统AuGeNi/Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统.实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi/Au欧姆接触系统.