一种用于制备纳米SiC/Si3N4复合粉体的CVD新工艺的热力学分析

• 作者: Shoichi Kimura 全学军
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 碳化硅(SiC) 氮化硅(Si3N4) 复合粉体 化学气相沉积工艺(CVD) 热力学分析
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 14-20
• 页数: 7页
• 分类号: TQ029
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2000.06.005

摘要

综述了SiC/Si3N4复合粉体的力学性能和制备方法,提出了一种制备纳米级SiC/Si3N4复合粉体的新方法,并通过热力学分析提出了合成条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Shoichi Kimura		1	2	1.0	1.0