用SIPOS-SiO2复合层对4H-SiC n+pp+结构钝化的分析

• 作者: 刘肃 姜岩峰 曹磊 李思渊 薄建军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 钝化层
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 686-690
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.012

摘要

用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2·实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李思渊	兰州大学物理系静电感应器件研究所	25	113	7.0	9.0
2	刘肃	兰州大学物理系静电感应器件研究所	68	261	9.0	11.0
3	曹磊	兰州大学物理系静电感应器件研究所	9	13	2.0	3.0
4	姜岩峰	兰州大学物理系静电感应器件研究所	5	4	1.0	1.0
5	薄建军	兰州大学物理系静电感应器件研究所	1	2	1.0	1.0