ITO薄膜的光电子能谱分析

• 作者: 白雪冬 裴志亮 闻立时 陈猛 黄荣芳
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学状态 光电子能谱 Gaussian拟合
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.034

摘要

运用XPS分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况.研究表明,低温直流磁控反应溅射ITO薄膜退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以两种化合状态O I和O II存在,其结合能值分别为529.90±0.30 eV和531.40±0.20 eV,分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比R O_I/O II从薄膜表面到体内逐渐增大.退火后薄膜表面的R O_I/O II小于未退火薄膜表面的R O_I/O II;经Ar+刻蚀20min后,退火薄膜体内的R O_I/O II大于未退火薄膜体内的R O_I/O II.这些结果表明,ITO薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄荣芳	中国科学院金属研究所	37	704	16.0	25.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	裴志亮	中国科学院金属研究所	19	425	12.0	19.0
4	白雪冬	中国科学院金属研究所	8	200	5.0	8.0
5	陈猛	中国科学院金属研究所	19	341	8.0	18.0