InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究

• 作者: 任大翠 张兴德 张剑家 杜宝勋 杨进华
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 分别限制异质结构 光波导
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 687-690
• 页数: 4页
• 分类号: TN4|O43
• 字数: 2480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2000.08.004

摘要

用改进的液相外延方法(LPE)生长了无铝的InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱半导体激光器,测量其远场分布近似为高斯分布.用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型,并简单解释了其生成原因,为改善光束质量提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨进华	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	9	27	3.0	4.0
2	张兴德	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	21	81	5.0	8.0
3	任大翠	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	6	33	3.0	5.0
4	张剑家	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	2	38	2.0	2.0
5	杜宝勋	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	2	3	1.0	1.0