躺在石墨表面上的碳纳米管

• 作者: 刘惟敏 刘虹雯 吴锦雷 施祖进 薛增泉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 石墨 I-V特性
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 354-358
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+8
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.007

摘要

用扫描隧道显微镜(STM)测试分析了高定向石墨(HOPG)表面的碳纳米管.在大气中室温下获得了碳纳米管原子结构，测量了碳管的I-V特性.结果表明，STM观察到的一般情况下的碳管容易呈簇集状态，与透射电镜(TEM)观察到的碳纳米管一致；在稀释和超声之后，STM观察到大量的单根碳管.作者认为产生这种差别的原因，和碳管的疏水亲近效应强弱有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛增泉	北京大学电子学系	66	466	11.0	19.0
2	吴锦雷	北京大学电子学系	48	341	12.0	16.0
3	刘虹雯	北京大学电子学系	7	106	4.0	7.0
4	刘惟敏	北京大学电子学系	40	283	8.0	15.0
5	施祖进	北京大学化学与分子工程学院	27	590	8.0	24.0