a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜微结构的退火行为

• 作者: WANG Qi-ming 李世忱 王启明 郭亨群 郭震宁 黄永箴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 退火 微结构 多层薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 576-579
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.010

摘要

采用PECVD技术在P型硅衬底上制备了a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜,利用AES和TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为.结果表明:a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜经退火处理形成nc-Si/SiO2多层量子点复合膜,膜层具有清晰完整的结构界面.纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构,颗粒大小随退火温度升高而增大.在一定的实验条件下,样品在650℃下退火可形成尺寸大小合适的纳米硅颗粒.初步分析了这种多层复合膜形成的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永箴	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	47	229	9.0	12.0
2	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
3	李世忱	天津大学精密仪器与光电子工程学院	85	733	15.0	21.0
4	郭震宁	天津大学精密仪器与光电子工程学院	61	336	10.0	15.0
6	郭亨群	华侨大学应用物理系	40	180	8.0	11.0
9	WANG Qi-ming	天津大学精密仪器与光电子工程学院	1	3	1.0	1.0