向日葵种胚的V离子注入研究

• 作者: 周云龙 李永良 林文廉 苏颍
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低能离子注入 钒 显微结构
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 219-222
• 页数: 4页
• 分类号: TL99
• 字数: 2173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.04.003

摘要

利用扫描电子显微镜和能量色散谱仪研究V离子注入向日葵种胚后注入元素的深度分布,用透射电子显微镜(TEM)研究离子注入前后子叶及胚轴部位细胞的显微结构变化.结果发现V离子在种皮层的注入深度达到18μm,而在胚部位(如子叶、胚轴和胚根等)则没有测到V元素;注入前后子叶和胚轴细胞的显微结构在TEM上没有明显的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周云龙		49	918	15.0	29.0
2	李永良		58	807	15.0	26.0
3	林文廉	北京师范大学低能核物理研究所	2	5	1.0	2.0
4	苏颍	北京师范大学低能核物理研究所	1	4	1.0	1.0