MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

• 作者: 何宝平 姚育娟 姜景和 张正选 罗尹虹
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 偏压退火 辐照引起的陷阱正电荷 MOS晶体管
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 378-382
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.012

摘要

电离辐射在MOS结构的SiO2层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正强栅偏压(+20V)下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO2层隧道注入，从而与陷阱正电荷复合.正栅压退火不仅对N沟MOS结构非常有效，对P沟MOS结构也有一定的影响.给出了辐照后的NMOS和PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果，阐明了正栅压下的“隧道退火”机理

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	姚育娟		10	48	4.0	6.0
3	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
4	张正选		21	88	5.0	8.0
6	姜景和		18	78	6.0	7.0