CVD法水蒸气条件下制备SiC块体

• 作者: 周万城 李翔 焦桓
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: CVD SiC 水蒸气 机理
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 12-14,18
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2000.12.004

摘要

以三氯甲基硅烷(MTS)为原料,在无水蒸气和有水蒸气加入的条件下采用化学气相沉积(CVD)法制备出SiC块体材料.在950～1200 ℃的范围内,水蒸气在水温20～80℃时由Ar鼓泡引入反应器中进行沉积,得到的产物基本属β-SiC,其中混有少量的二氧化硅.结果表明,无水蒸气时SiC的沉积速率随沉积温度升高而略有升高;通入水蒸气后SiC的沉积速率有所提高,当水蒸气的引入温度为20℃、沉积温度为1050℃时,沉积速率最大达到0.9mm/h;随水蒸气引入量的增加,SiC的沉积速率呈降低趋势.对沉积反应的机理进行了初步分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
2	李翔	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	11	43	3.0	6.0
3	焦桓	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	15	458	9.0	15.0