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158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制
158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制
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摘要：
报道了GaAs声表面波(SAW)固定延迟线的设计方法和SAW器件金属剥离制造新工艺.研制出GaAs SAW延迟线，典型参数为：中心频率158MHz，插入损耗低于55dB，延迟时间1.5μs.
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GaAs
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
语种：
eng
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
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