半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应

• 作者: 刘汝萍 夏冠群 张美圣 翁建华 赵建龙 郝幼申
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: MESFET 背栅效应 GaAs
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 64-68
• 页数: 5页
• 字数: 2587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.01.012

摘要

设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAs MESFETs器件。研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小。结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建龙	中国科学院上海冶金研究所一室	140	1166	18.0	26.0
2	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所一室	61	307	9.0	16.0
3	郝幼申	中国科学院上海冶金研究所一室	2	0	0.0	0.0
4	翁建华	中国科学院上海冶金研究所一室	3	15	1.0	3.0
5	刘汝萍	中国科学院上海冶金研究所一室	5	1	1.0	1.0
6	张美圣	中国科学院上海冶金研究所一室	1	0	0.0	0.0