用于自对准提升硅化物结构的CO/Si/Ti/Si及CO/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究

• 作者: 刘建海 屈新萍 徐鸿涛 房华 李炳宗 茹国平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 军事
• 关键词: 固相反应 硅化物 自对准 多层薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 197-203
• 页数: 7页
• 分类号: EEACC:0520|2550F
• 字数: 4777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.018

摘要

为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅，提出添加非晶Si的新方法，并探索了Co/Si/Ti/Si及Co/Si(×7)/Ti/Si多层薄膜固相反应的两种途径.实验采用四探针、XRD、RBS等多种方法对固相反应过程进行了研究，对反应形成的CoSi2薄膜进行了测试分析，并探索了在SiO2/Si及图形片上的选择腐蚀工艺.结果表明，当选择合适的Co：Si原子比，恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液，两种方法都可以形成自对准硅化物结构.研究了这两种固相反应过程，发现在一定的Co:Si原子比范围内，这两种方法制备的CoSi2薄膜都有一定的外延特性，其中第一种途径得到的CoSi2薄膜具有十分良好的外延特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学电子工程系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学电子工程系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学电子工程系	21	90	5.0	9.0
4	房华	复旦大学电子工程系	1	3	1.0	1.0
5	徐鸿涛	复旦大学电子工程系	1	3	1.0	1.0
6	刘建海		2	3	1.0	1.0