In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

• 作者: 白雪冬 闻立时 陈猛 黄荣芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 导电薄膜 In2O3：Sn ZnO：Al 结构 导电机制
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 394-399
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 4776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.015

摘要

基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3，简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO，简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析，研究了薄膜晶格常数畸变的原因，同时讨论了ITO和ZAO薄膜的导电机制.结果表明，低温沉积ITO薄膜的晶格膨胀来源于Sn2+对In3-的替换，导电电子则由氧缺位提供；高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Sn4+对In3+的替换，导电电子则主要由Sn4+取代In3+后提供.低温ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力，导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致，即由Al3+对Zn2+的替换和氧缺位两者共同提供

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄荣芳	中国科学院金属研究所	37	704	16.0	25.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	白雪冬	中国科学院金属研究所	8	200	5.0	8.0
4	陈猛	中国科学院金属研究所	19	341	8.0	18.0