氮化铝薄膜的低温沉积

• 作者: 丁训民 凌浩 吴嘉达 周筑颖 孙剑 应质峰 施维 李富铭 王康林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 低温沉积 薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 914-917
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2077字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.09.016

摘要

介绍了一种ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积AlN薄膜的新方法.在ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀Al靶,以低于80℃的衬底温度在Si衬底上沉积了AlN薄膜.结合样品表征和等离子体光谱分析,探讨了膜层沉积的机理,等离子体中活性氮物质的存在是Al-N化合的重要因素,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成.