非晶Si/SiO-2超晶格的制备及其光谱研究

• 作者: 刘宁宁 孙甲明 师文生 潘少华 王晓光 王荣平 陈正豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 1019-1022
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.05.038

摘要

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8-3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量子尺寸效应.