偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响

• 作者: 严荣良 任迪远 张国强 艾尔肯 范隆
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 剂量计 PMOS 辐照响应
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 179-183
• 页数: 5页
• 字数: 4247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.014

摘要

研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在－1～1MV/cm的电场范围内，获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps Sheet)”模型，结合辐射感生界面电荷的栅偏置电场相关性，分析了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范隆	中国科学院新疆物理研究所	13	69	5.0	8.0
2	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
3	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
4	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
5	艾尔肯	中国科学院新疆物理研究所	17	152	7.0	12.0