用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Si nPn异质结双极晶体管

• 作者: 刘学锋 孔梅影 李建平 李晋闽 林兰英 黄大定
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 气源分子束外延 异质结双极晶体管 硅锗合金
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 142-145
• 页数: 4页
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.007

摘要

用气态源分子束外延法制备了Si/SiGe/Si npn异质结双极晶体管.晶体管基区Ge组分为0.12，B掺杂浓度为1.5×101 9cm-3， SiGe合金厚度约45nm.直流特性测试表明，共发射极直流放大倍数约50，击穿电压VCE约9V；射频特性测试结果表明，晶体管的截止频率为7GHz，最高振荡频率为2.5GHz.