微波低噪声SiGe HBT的研制

• 作者: 张进书 林惠旺 贾宏勇 钱伟 钱佩信
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HBT SiGe 微波 低噪声EEACC:2560B 2560J
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 445-450
• 页数: 5页
• 分类号: TN322+.6
• 字数: 2430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.007

摘要

利用3μm工艺条件制得SiGe HBT(Heterojunction Bipolar Transistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林惠旺	清华大学微电子所	18	150	8.0	11.0
2	钱佩信	清华大学微电子所	29	158	7.0	11.0
3	贾宏勇	清华大学微电子所	10	86	5.0	9.0
4	张进书	清华大学微电子所	3	28	2.0	3.0
5	钱伟	清华大学微电子所	4	28	2.0	4.0