Au-GaN肖特基结的伏安特性

• 作者: 孙殿照 张国义 张太平 张建平 林兆军 武国英 王玮 阎桂珍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MBE MOCVD GaN 肖特基结 伏安特性
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 369-372
• 页数: 4页
• 分类号: TN311.7
• 字数: 2742字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.010

摘要

在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上制作了Au-GaN肖特基结，测定了肖特基结的室温I-V特性.分析表明：GaN材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理系	49	229	9.0	13.0
2	王玮	北京大学微电子所	61	390	12.0	17.0
3	张太平	北京大学微电子所	8	77	5.0	8.0
4	张建平	中国科学院半导体研究所新材料部	30	421	13.0	20.0
5	孙殿照	中国科学院半导体研究所新材料部	10	98	5.0	9.0
6	武国英	北京大学微电子所	13	274	6.0	13.0
7	阎桂珍	北京大学微电子所	5	12	2.0	3.0
8	林兆军	北京大学微电子所	1	0	0.0	0.0