纳米InP镶嵌复合薄膜的制备和光学性质

• 作者: 姜治 张立德 李广海 郑茂俊
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米镶嵌复合薄膜 磁控溅射 声子限域效应 量子限域效应
• 年，卷（期）: 2000,（19）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 2062-2067
• 页数: 6页
• 分类号: TB32
• 字数: 3910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2000.19.007

摘要

用射频磁控共溅方法制备了InP-SiO2纳米颗粒镶嵌复合薄膜, 分析了它的结构和形成规律. X射线衍射和Raman谱结果表明, InP纳米颗粒呈多晶结构, 颗粒平均尺寸为3～10 nm. 观察到了InP纳米颗粒Raman峰的红移和宽化现象, 可用声子限域模型给予解释. 光学透射谱表明, 该复合膜的光学吸收边在整个可见光范围可调制, 用量子限域效应解释了光学吸收带边的显著蓝移现象. 对于该体系, 由有效质量近似模型得到的理论值明显大于实验结果. 分析表明, InP纳米颗粒的激子有效质量并非为常数, 而与颗粒半径成反比关系, 这可能是导致理论值与实验值差别的主要原因. 讨论了该复合膜中InP纳米颗粒由直接带隙向间接带隙转变的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立德	中国科学院固体物理研究所	101	1916	23.0	41.0
2	李广海	中国科学院固体物理研究所	31	478	10.0	21.0
3	郑茂俊	中国科学院固体物理研究所	1	12	1.0	1.0
4	姜治	中国科学院固体物理研究所	2	21	2.0	2.0