在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光

• 作者: 余明斌 罗家骏 陈治明 马剑平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米材料 碳化硅 薄膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 673-676
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.009

摘要

用热丝化学汽相淀积(HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜.用X射线光电子谱仪(XPS)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、紫外光Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	余明斌	西安理工大学应用物理系	8	79	5.0	8.0
3	马剑平	西安理工大学电子工程系	19	114	7.0	10.0
4	罗家骏	西安理工大学电子工程系	1	29	1.0	1.0