SiC陶瓷与TiAl基合金扩散连接接头的强度及断裂路径

• 作者: 冯吉才 刘会杰 钱乙余
• 来源期刊: 焊接
• 学科: 工学
• 关键词: SiC陶瓷 TiAl基合金 扩散连接 接头强度 断裂路径
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TG4
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1382.2000.03.005

摘要

进行了SiC陶瓷与TiAl基合金(TAD)的真空扩散连接,给出了接头的剪切强度,并采用SEM、EPMA和XRD分析了接头的断裂路径.结果表明,在1 573 K和0.3～28.8 ks的连接条件下,当连接时间较短时接头强度较高,如室温时为240 MPa,高温(973 K)时为230 MPa,接头在(Ti5Si3CX+TiC)/TAD界面处断裂.随着连接时间的增加,接头强度降低,接头的断裂路径也由靠近TAD的(Ti5Si3CX+TiC)/TAD界面转向靠近SiC的TiC层内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘会杰	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	70	1204	21.0	31.0
2	冯吉才	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	336	5378	36.0	55.0
3	钱乙余	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	91	1645	23.0	34.0